晶体材料的流变应力,其本质由位错的运动所主导。基于这一核心原理,提升材料强度的路径可归结为两条截然不同的策略:一是近乎完美地消除所有位错,二是引入大量障碍物以阻碍位错的滑移。
第一条路径,即追求“无位错”的理想状态,在单晶须的制备中得到了验证。然而,这种方法极具局限性。随着晶须直径的增大,缺陷(包括位错)的引入变得不可避免,导致其强度急剧下降。因此,在工程实践中,我们更广泛地采用第二条路径——通过在微观结构中“设障”,有效钉扎位错。这催生了多种经典的强化技术,包括固溶强化、沉淀或弥散强化、加工硬化、细晶强化以及复相组织强化。以下将对这些阻碍位错运动的核心机制进行深入剖析。
当溶质原子(无论是间隙型还是替代型)进入基体晶格后,会因其尺寸效应或导致的弹性模量不均匀性,在局部产生晶格畸变。这种畸变场会与位错的应力场发生弹性相互作用,从而阻碍位错的运动。这种相互作用力是弹性的,位错在热激活的辅助下可以克服它。
其强化效果的增量(Δσ)可用以下经验公式来描述:
Δσ = Acⁿ
式中,A 是与材料相关的常数,c 代表溶质原子的浓度。指数 n 根据实验或理论推导,其值通常在 0.5 到 1.0 之间。简言之,溶质原子浓度越高,对位错的阻碍作用越强,材料的强度也越高。
如前所述,塑性变形过程会使材料内部的位错密度(ρ)急剧增加。新产生的可动位错在运动时,必须穿过由已有位错形成的复杂网络,即“位错林”。位错之间的相互作用分为两类:短程相互作用,如弹性交互、切割和反应等;以及由位错结构引发的内应力场导致的长程相互作用,典型的例子是位错在障碍物前塞积所产生的背应力。
无论是哪种模型,最终都导向一个相似的强化关系式,即 Bailey-Hirsch 关系:
Δσ = B√ρ
其中,B 为一个常数。该公式清晰地表明,材料的强度增量与位错密度的平方根成正比。
在基体中弥散分布着细小的第二相粒子(沉淀相或弥散相)时,运动的位错线会与这些粒子发生相互作用。
当粒子较“软”时,位错线可以切过粒子继续前进,如图1(a)所示。其临界条件由下式给出:
Δσ = (aμb / λ)cos(φ/2)
这里,a 是常数,μ 是剪切模量,b 是位错的柏氏矢量大小,λ 是粒子的平均间距,而 φ 是位错线切过粒子所需的临界角。
图1 (a) 切割机制与 (b) 奥罗万绕过机制示意图
当粒子非常“硬”,位错无法切过时(相当于临界角 φ = 0°),位错线会选择绕过粒子,并在粒子周围留下一个位错环,这个过程被称为奥罗万(Orowan)机制,如图1(b)所示。对于这种由强粒子主导的弥散强化,其强度增量可简化为:
Δσ = 2μb / λ
该式表明,第二相粒子的间距越小,对位错的阻碍作用越强,强化效果越显著。
晶界是位错运动的天然强障碍。当位错运动至晶界时,其运动受阻并在此处塞积,从而在晶界附近产生显著的内应力,如图2所示。这种位错塞积所产生的背应力会阻碍后续位错的进一步运动,其原理与加工硬化中的长程相互作用类似。
塞积的位错数量与外加应力和滑移距离(即晶粒直径 d)有关,理论上可以推导出强化增量(Δσ)与晶粒尺寸的关系:
Δσ = kd⁻¹/²
图2 (a) 晶界处的位错塞积模型与 (b) 高氮奥氏体钢的TEM显微照片
对于细晶强化的机理,还存在其他几种解释。例如,晶界附近由于局部内应力很高,会激活多个滑移系,导致该区域位错密度增加,其强化效果同样可以用 Bailey-Hirsch 关系(Δσ = B√ρ)来描述,最终也能推导出与上式形式相同的关系。另一种解释认为,为了缓解晶界处的高度局部应力,相邻晶粒的晶界可以作为位错源,发射出新的位错。
由于上述关系式最早由 Hall 和 Petch 基于大量实验数据提出,因此被称为霍尔-佩奇关系(Hall-Petch relation)。在实际材料中,细晶强化往往是多种效应叠加的结果,但霍尔-佩奇关系式能够相当准确地描述晶粒细化带来的强度提升。精确测定材料的晶粒度、位错密度和分布,对于验证和应用这些强化理论至关重要。
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当材料中第二相的尺寸与基体晶粒尺寸相当(即粗大的多相组织)时,奥罗万绕过等弥散强化模型便不再适用。在这种情况下,塑性变形会优先在较软的相中发生,导致应力在不同相之间重新分配,产生所谓的“相间应力”或平均内应力。
这种强化方式更接近于复合材料的强化原理。许多工程材料,如铁素体-珠光体钢、双相钢、α-β 黄铜等,都属于这一范畴。尽管已有微观力学模型来精确描述多相材料的变形行为,但在工程应用中,其流变应力通常可以用一个简单的混合法则来近似估算。对于一个两相合金:
σ = σ₁(1 - f) + σ₂f
式中,σ₁ 和 σ₂ 分别代表基体相和第二相的强度,f 是第二相的体积分数。
在真实的工程材料中,上述强化机制往往不是独立作用,而是同时存在、相互叠加。因此,必须采用合适的叠加法则来估算材料的总强度。一个简化的叠加规则可以表示为:
σ = Σ(σᵢ)ᴺ
其中,σᵢ 代表第 i 种强化机制贡献的强度。当强障碍与弱障碍叠加时,指数 N 的值接近于 1;而当多种强障碍机制共同作用时,N 的值通常小于 1。